对于半导体产业而言，逆向工程更一直是IC研发设计的主轴，可以协助IC设计公司在开发新产品所需的成本、工时、人力与技术作全面性的分析，并在电路提取上可针对有专利性的电路，经专利地图数据库分析比较以做好专利回避，藉此了解市场态势并掌握商机。
逆向工程的逆向工程能将整颗IC从封装，制成到线路布局，使用将内部结构，尺寸，材料，制成与步骤一一还原，并能通过电路提取将电路布局还原成电路设计。
芯片反向工程的流程：
1.样品准备
2. 芯片拍照数据
3.样品解剖逐层拍照 Flat Schematic
4.电路提取 Hier. Schematic
5.电路整理 Netlist
6.电路仿真验证
7.版图设计
8.电路后仿真检查，验收
9. 设计服务交付数据类型
那要如何清楚透视微奈米级的线路？可利用大范围扫描拍照拼图达四万倍、局部拍照可达百万倍的扫描电子显微镜(SEM)来进行拍照。
SEM有两个功能，一个是产品有缺陷，用来进行失效分析找Defect，这种案例通常只需要进行「局部拍照」；第二种功能，就是本篇小学堂所讨论用在IC的逆向工程，为了要避免专利纠纷、做好专利回避，此时的拍照，就不能只是局部拍照，必须大范围扫描拍照，透视IC中所有的线路。
